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Transistor de potencia IGBT FGH40N60

FGH40N60

Nuevo

Transistor de potencia IGBT FGH40N60.

Este es un Transistor Bipolar de Puerta Aislada. En realidad, se trata de un transistor híbrido que combina un BJT y un MOSFET.

Su encapsulado aloja varios componentes por lo que se puede hablar de Circuito Integrado de potencia.

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Transistor de potencia IGBT FGH40N60.

Este es un Transistor Bipolar de Puerta Aislada. En realidad, se trata de un transistor híbrido que combina un BJT y un MOSFET.

Su encapsulado aloja varios componentes por lo que se puede hablar de Circuito Integrado de potencia.

Utilizado principalmente en:

- Inversores Solares.

- Fuentes de alimentación (U.P.S.).

- Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (S.A.I.).

- Telecomunicaciones. 

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